日本音響学会アコースティックイメージング研究会
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第3回 2012年 10月 24日開催 <アコースティックイメージング研究会資料>
AI-2012-16
P(VDF/TrFE)を用いた超音波顕微鏡用トランスデューサについて 【PDF/動画:】
高橋 貞幸
山形大学 地域教育文化学部
抄録
圧電高分子材料では、PVDFが有名である。本研究では、PVDF系のVDF/TrFEのランダム共重合体である、P(VDF/TrFE)(75/25mol%)を用いた超音波顕微鏡用凹面型トランスデューサについて述べる。P(VDF/TrFE)によるトランスデューサの製作は、コポリマー溶液を、直接凹面に塗布するスピンコート法で行った。本方法により製作した、凹面型P(VDF/TrFE)トランスデューサの焦点距離(f)は、f=1.6mm、0.3mmおよび0.2mmの3種類である。これらのトランスデューサを用いて、ROM-chipの画像を50〜860MHzで得た(媒質は水、または温水)。また、媒質を液化窒素とした、低温用のP(VDF/TrFE)凹面型トランスデューサを開発し、100MHzおよび160MHzでの画像形成を試みた。
keywords
圧電高分子,トランスデューサ,P(VDF/TrFE),超音波顕微鏡,音響画像

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